關于第三代半導體電力電子技術路線圖帶給我們的思考,中國,你準備好了嗎?(下)
發布時間:2018-08-07
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第三代半導體圖2_福斯特半導體

 

首先,我們來看看中國的現狀,有很多不足,但是也有不少驚喜,所謂大成若缺,有缺憾我們也才會有所進步。

 

中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚,與國外相比水平較低,阻礙國內第三代半導體研究進展的重要因素是原始創新問題。國內新材料領域的科研院所和相關生產企業大都急功近利,難以容忍長期“只投入,不產出”的現狀。因此,以第三代半導體材料為代表的新材料原始創新舉步維艱。

 

雖然落后,我國也在積極推進,國家和各地方政府陸續推出政策和產業扶持基金發展第三代半導體相關產業:地方政策在2016年大量出臺,福建、廣東、江蘇、北京、青海等27個地區出臺第三代半導體相關政策(不包括LED)近30條。一方面,多地均將第三代半導體寫入“十三五”相關規劃,另一方面,不少地方政府有針對性對當地具有一定優勢的SiC和GaN材料企業進行扶持。

 

第三代半導體圖3_福斯特半導體

 

據CASA統計,2017年我國第三代半導體整體產值約為6578 億(包括照明),同比增長 25.83%。其中電力電子產值規模接近 10 億元,較上年增長10倍以上。

 

此次發布的國內首個《第三代半導體電力電子技術路線圖》的機構是第三代半導體產業技術創新戰略聯盟,該聯盟雖然是由相關科研機構、大專院校,龍頭企業自愿發起的民間產業機構,但是,其實背后是國家科技部,工信部以及北京市科委鼎力支持下成立的,其發布的路線圖在一定程度上代表了國家對于半導體產業發展方向的指引。

 

從聯盟的成員來看,也對國內半導體產業發展起著舉足輕重的作用,理事會提名中國科學院半導體研究所、北京大學、南京大學、西安電子科技大學、三安光電股份有限公司、國網智能電網研究院、中興通訊股份有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、山東天岳先進材料科技有限公司等創新鏈條上的重要機構作為副理事長單位。

 

國內企業方面,在LED芯片領域已有深厚積累的三安光電,在第三代半導體材料的研發投入達到了330億元。

 

除三安光電外,揚杰科技、國民技術、海特高新等多家上市公司均開始布局第三代半導體業務。

 

揚杰科技曾向投資者透露,其SiC芯片技術已達到國內領先水平。海特高新通過其子公司海威華芯開始建設6英寸的第二代/第三代集成電路芯片生產線。中車時代電氣(中國中車子公司)在高功率SiC器件方面處于國內領先。國民技術也開始布局這個領域,其全資子公司深圳前海國民公司與成都邛崍市人民政府簽訂了《化合物半導體生態產業園項目投資協議書》,研發第三代半導體外延片。

 

此外,華潤華晶微電子和華虹宏力也是發展第三代半導體材料的代表企業。

 

大家知道,仙童半導體已經被安森美收購。而其在2016年1月5日宣布,將考慮華潤微電子與華創投資的修訂方案。在新方案中,中國資本愿以每股21.70美元的現金收購仙童,這一價格遠遠高于安森美提出的每股20美元。

 

遺憾的是,由于美國政府對中國企業并購的限制,中國人的高價橄欖枝并沒有獲得通行證,仙童還是選擇了同在美國的安森美,讓后者躍居全球功率半導體二當家。

 

曾經距離收購仙童半導體那么近,從中可以看出華潤微電子在布局先進功率器件方面的決心和力度?;蠡⒌繾郵腔笪⒌繾悠煜麓郵擄氳繼宸至⑵骷母咝錄際跗笠?,在國內,其功率器件的規模和品牌具有一定優勢。該公司實現了先進的FS工藝,在該基礎上開發了平面和溝槽產品,具有低損耗,低成本的優勢。

 

最后,全球都在加碼第三代半導體技術和材料的研發工作,中國自然也不甘落后。此次,《第三代半導體電力電子技術路線圖》的發布,可以幫助行業和企業把握技術研發和新產品推出的最佳時間,幫助政府更好明確技術研發戰略、重點任務、發展方向和未來市場,集中有限優勢資源為產學研的結合構建平臺,能使利益相關方在技術活動中步調一致,減少科研盲目性和重復性,將市場、技術和產品有機結合。

 

據悉,繼電力電子路線圖之后,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟還將陸續組織光電、微波射頻等其他應用領域的技術路線圖,我們也一起期待著后續,關注著中國第三代半導體能夠真正走向世界,走向強國之“芯”。